Samsung запускает массовое производство новой памяти HBM4

Компания Samsung объявила о начале массового производства и поставок памяти нового поколения HBM4, став первой в мире, которая довела эту технологию до стадии реальной реализации. Одной из ключевых особенностей данной новинки является применение современного 4-нм техпроцесса для логического слоя и чипов DRAM шестого поколения (1c), что позволило достичь впечатляющих результатов без кардинального изменения архитектуры.

Скоростные характеристики памяти составляют 11,7 Гбит/с, с возможностью увеличения до 13 Гбит/с. Пропускная способность достигла 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели предшествующей модели HBM3E. Это критически важно для повышения эффективности обучения крупных языковых моделей ИИ. При этом количество контактов ввода-вывода увеличилось с 1024 до 2048, а энергоэффективность удалось улучшить на 40%.

На данный момент Samsung предлагает модули объемом 24 и 36 ГБ (12 слоев) и планирует выпустить 48 ГБ (16 слоев). Ожидается значительный рост спроса на память, с прогнозом более чем тройного роста продаж HBM к 2026 году по сравнению с 2025 годом. Вместе с увеличением производства HBM4, в 2026 году начнется тестирование улучшенной версии HBM4E, а с 2027 года – выпуск специализированных чипов для клиентов.